웨이퍼 가스방출 제어를 위한 방법 및 장치

• Main Authors: CHU SCHUBERT S, BAO XINYU, CHUNG HUA, YAN CHUN
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 24.04.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

본원에 개시된 실시예들은 일반적으로, Si:As 프로세스가 기판 상에서 수행된 후에, 그리고 추가적인 처리 이전에, 유해한 가스들이 기판의 표면으로부터 제거되도록 기판 가스방출을 제어하기 위한 장치 및 방법들에 관한 것이다. 장치는, 인클로저, 인클로저에 결합된 가스 공급부, 인클로저에 결합된 배기 펌프, 인클로저에 형성된 제1 퍼지 가스 포트, 제1 단부에서 가스 공급부에 작동가능하게 연결되고 제2 단부에서 제1 퍼지 가스 포트에 작동가능하게 연결된 제1 채널, 인클로저에 형성된 제2 퍼지 가스 포트, 및 제3 단부에서 제2 퍼지 가스 포트에 작동가능하게 연결되고 제4 단부에서 배기 펌프에 작동가능하게 연결된 제2 채널을 포함하는 퍼지 스테이션을 포함한다. 제1 채널은 입자 필터, 가열기, 및 유동 제어기를 포함한다. 제2 채널은 건식 스크러버를 포함한다. Embodiments disclosed herein generally relate to apparatus and methods for controlling substrate outgassing such that hazardous gasses are eliminated from a surface of a substrate after a Si:As process has been performed on a substrate, and prior to additional processing. The apparatus includes a purge station including an enclosure, a gas supply coupled to the enclosure, an exhaust pump coupled to the enclosure, a first purge gas port formed in the enclosure, a first channel operatively connected to the gas supply at a first end and to the first purge gas port at a second end, a second purge gas port formed in the enclosure, and a second channel operatively connected to the second purge gas port at a third end and to the exhaust pump at a fourth end. The first channel includes a particle filter, a heater, and a flow controller. The second channel includes a dry scrubber.