전기 에너지 저장 유닛을 방전시키기 위한 방법

본 발명은 제1 전기 전도체(606) 및 제2 전기 전도체(608)에 의해 전자 회로(612)와 연결되는 전기 에너지 저장 유닛(210)을 방전시키기 위한 방법에 관한 것이다. 에너지 저장 유닛(210)을 방전시키기 위해 사이리스터(616)가 제공된다. 상기 방법에서, 전자 회로(612)에서 발생한 고장으로 인해, 에너지 저장 유닛(210)의 방전 전류(630)는 에너지 저장 유닛(210)으로부터 제1 전기 전도체(606)를 통해 전자 회로(612)로, 그리고 제2 전기 전도체(608)를 통해 역으로 에너지 저장 유닛(210)으로...

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Main Authors WAHLE MARCUS, SCHMITT DANIEL, DORN JOERG, SCHREMMER FRANK
Format Patent
LanguageKorean
Published 22.04.2019
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Summary:본 발명은 제1 전기 전도체(606) 및 제2 전기 전도체(608)에 의해 전자 회로(612)와 연결되는 전기 에너지 저장 유닛(210)을 방전시키기 위한 방법에 관한 것이다. 에너지 저장 유닛(210)을 방전시키기 위해 사이리스터(616)가 제공된다. 상기 방법에서, 전자 회로(612)에서 발생한 고장으로 인해, 에너지 저장 유닛(210)의 방전 전류(630)는 에너지 저장 유닛(210)으로부터 제1 전기 전도체(606)를 통해 전자 회로(612)로, 그리고 제2 전기 전도체(608)를 통해 역으로 에너지 저장 유닛(210)으로 흐르기 시작한다. 방전 전류(630)로 인해, 시간 경과에 따라 변경하는 자기장(1010)이 제1 전기 전도체(606) 및 제2 전기 전도체(608) 주위에 생성되고, 상기 자기장은 사이리스터(616)의 반도체 재료(1006)를 통과한다. 시간 경과에 따라 변경하는 자기장(1010)에 의해, 사이리스터(616)의 반도체 재료(1006) 내에 전류(1018)가 유도되고, 사이리스터(616)는 유도되는 전류(1018)에 의해 스위치 온된다. An electric energy storage device which is connected to an electronic circuit is discharged by way of a first and a second electric conductor. A thyristor is provided for discharging the energy storage device. As a result of a fault occurring in the electronic circuit, a discharge current of the energy storage device begins to flow from the energy storage device to the electronic circuit via the first electric conductor and back to the energy storage device via the second electric conductor. The discharge current causes a magnetic field which changes over time to be generated about the first electric conductor and the second electric conductor. The magnetic field penetrates the semiconductor material of the thyristor. By virtue of the temporally varying magnetic field, a current is induced in the semiconductor material of the thyristor, and the thyristor is activated by the induced current.
Bibliography:Application Number: KR20197009495