복합 기판, 그 제조법 및 전자 디바이스

본 발명의 복합 기판은 지지 기판과 기능성 기판이 직접 접합된 복합 기판이고, 지지 기판은 사이알론 소결체인 것이다. 지지 기판의 음속은 5000 m/s 이상이 바람직하다. 지지 기판의 40∼400℃의 열 팽창 계수는 3.0 ppm/K 이하가 바람직하다. A composite substrate includes a supporting substrate and a functional substrate that are directly joined together, the supporting substrate being a sintered...

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Main Authors NOMOTO YUKI, TANAKA KEI, INOUE KATSUHIRO, KATSUDA YUJI
Format Patent
LanguageKorean
Published 12.04.2019
Subjects
BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
ELECTRICITY
IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS
RESONATORS
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Summary:본 발명의 복합 기판은 지지 기판과 기능성 기판이 직접 접합된 복합 기판이고, 지지 기판은 사이알론 소결체인 것이다. 지지 기판의 음속은 5000 m/s 이상이 바람직하다. 지지 기판의 40∼400℃의 열 팽창 계수는 3.0 ppm/K 이하가 바람직하다. A composite substrate includes a supporting substrate and a functional substrate that are directly joined together, the supporting substrate being a sintered sialon body.
Bibliography:Application Number: KR20197007042