복합 기판, 그 제조법 및 전자 디바이스
본 발명의 복합 기판은 지지 기판과 기능성 기판이 직접 접합된 복합 기판이고, 지지 기판은 사이알론 소결체인 것이다. 지지 기판의 음속은 5000 m/s 이상이 바람직하다. 지지 기판의 40∼400℃의 열 팽창 계수는 3.0 ppm/K 이하가 바람직하다. A composite substrate includes a supporting substrate and a functional substrate that are directly joined together, the supporting substrate being a sintered...
Saved in:
Main Authors | , , , |
---|---|
Format | Patent |
Language | Korean |
Published |
12.04.2019
|
Subjects | |
Online Access | Get full text |
Cover
Loading…
Summary: | 본 발명의 복합 기판은 지지 기판과 기능성 기판이 직접 접합된 복합 기판이고, 지지 기판은 사이알론 소결체인 것이다. 지지 기판의 음속은 5000 m/s 이상이 바람직하다. 지지 기판의 40∼400℃의 열 팽창 계수는 3.0 ppm/K 이하가 바람직하다.
A composite substrate includes a supporting substrate and a functional substrate that are directly joined together, the supporting substrate being a sintered sialon body. |
---|---|
Bibliography: | Application Number: KR20197007042 |