LIGHT EMITTING DEVICE

• Main Authors: MIKI TOMOHIDE, FUJITOMO MASATO, TANDA YUICHIRO, TAMAKI HIROTO, NISHIJIMA SHINJI
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 09.04.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The object of the present invention is to provide an optical semiconductor device which has a thin shape and high light extraction efficiency. The manufacturing method of an optical semiconductor device comprises: a first process of forming a plurality of first and second conductive members which are disposed separately from each other on a support substrate; a second process of forming gas made of a light blocking resin between the first and second conductive members; a third process of arranging an optical semiconductor device on the first and second conductive members; a fourth process of covering the optical semiconductor device by a sealing member made of a translucent resin; and a fifth process of disengaging an optical semiconductor device after removing the support substrate. Moreover, the first and second conductive members are plated. To this end, the optical semiconductor device has a thin shape and high light extraction efficiency. 박형이며 광 취출 효율이 높은 광 반도체 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 광 반도체 장치의 제조 방법은, 지지 기판 상에, 서로 이격하는 제1 및 제2 도전 부재를 복수 형성하는 제1 공정과, 제1 및 제2 도전 부재 사이에, 차광성 수지로 이루어지는 기체를 형성하는 제2 공정과, 제1 및 제2 도전 부재 상에 광 반도체 소자를 재치시키는 제3 공정과, 광 반도체 소자를, 투광성 수지로 이루어지는 밀봉 부재로 피복하는 제4 공정과, 지지 기판을 제거한 후, 광 반도체 장치를 개편화하는 제5 공정을 갖는 것을 특징으로 한다. 또한, 제1 및 제2 도전 부재가, 도금인 것을 특징으로 한다. 이에 의해 박형이며 광 취출 효율이 높은 광 반도체 장치로 할 수 있다.