METHOD OF MANUFACTURING A MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS DEVICE

• Main Authors: CHO, HAN NA, YOON, HYE JI, KWON, O IK
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 28.03.2019
• Subjects: ELECTRICITY

When a magneto-resistive memory device is manufactured, a lower electrode contact penetrating a first interlayer insulation film is formed on a substrate. A lower electrode film, a magnetic tunnel junction (MTJ) film, an upper electrode film, and a first hard mask film are formed on the lower electrode contact and the first interlayer insulation film. A second hard mask is formed on the first hard mask film. The first hard mask film and the upper electrode film are etched by using the second hard mask such that an upper electrode and a first hard mask are formed. A spacer is formed on the upper electrode, and a side wall of the first and second hard masks. The MTJ film and the lower electrode film are etched by using the first and second hard masks, and the spacer as etching masks such that a structure is formed. After the etching process, a film of at least one layer may be remained on the upper electrode. Accordingly, short is reduced in an MTJ structure and thus the magneto-resistive device may have an excellent electric characteristic. 자기 저항 메모리 소자의 제조에서, 기판 상에 제1 층간 절연막을 관통하는 하부 전극 콘택을 형성한다. 상기 하부 전극 콘택 및 제1 층간 절연막 상에 하부 전극막, 자기 터널 접합(MTJ)막, 상부 전극막 및 제1 하드 마스크막을 형성한다. 상기 제1 하드 마스크막 상에 제2 하드 마스크를 형성한다. 상기 제2 하드 마스크를 이용하여, 제1 하드 마스크막 및 상부 전극막을 식각하여, 상부 전극 및 제1 하드 마스크를 형성한다. 상기 상부 전극, 제1 및 제2 하드 마스크의 측벽 상에 스페이서를 형성한다. 그리고, 상기 제1 및 제2 하드 마스크와 상기 스페이서를 식각 마스크로 이용하여 상기 자기 터널 접합막 및 하부 전극막을 식각하여 구조물을 형성한다. 상기 식각 공정 후에는 상기 상부 전극 상에 적어도 한층의 막이 남아있을 수 있다. 상기 자기 저항 메모리 소자는 MTJ 구조물의 쇼트가 감소되어 우수한 전기적 특성을 가질 수 있다.