Semiconductor device having fin shaped active region

• Main Authors: KIM, DONG WON, BAE, GEUM JONG, KIM, SUNG MIN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 25.03.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

According to the present invention, a semiconductor element comprises: a substrate having an element region defined by a deep trench; a plurality of fin type active regions disposed in the element region and spaced apart from each other in a first direction; and a plurality of protruding patterns extending along the bottom surface of the deep trench from the lower end portion on a side wall of the element region. Two adjacent portions of the plurality of fin type active regions are disposed with a first pitch in a second direction perpendicular to the first direction. Portions of the plurality of protruding patterns and portions of the plurality of fin type active regions, which are adjacent to each other and extend in the first direction, are disposed with a second pitch larger than the first pitch in the second direction perpendicular to the first direction. 본 발명에 따른 반도체 소자는, 딥 트렌치에 의하여 한정되는 소자 영역을 가지는 가지는 기판; 소자 영역에 배치되고 제1 방향으로 서로 이격되며 연장되는 복수의 핀형 활성 영역; 및 소자 영역의 측벽의 하단 부분으로부터 딥 트렌치의 저면을 따라서 연장되는 복수의 돌출 패턴;을 포함하되, 복수의 핀형 활성 영역 중 서로 인접하는 2개의 부분은 제1 방향에 수직인 제2 방향으로 제1 피치를 가지고 배치되고, 서로 인접하며 제1 방향으로 연장하는 복수의 돌출 패턴의 부분과 복수의 핀형 활성 영역의 부분은, 제1 방향에 수직인 제2 방향으로 제1 피치보다 큰 제2 피치를 가지고 배치된다.