SELECTIVE OXIDE ETCHING METHOD FOR SELF-ALIGNED MULTIPLE PATTERNING

• Main Authors: SHERPA SONAM D, RANJAN ALOK
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 21.03.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Described is an etching method. The method comprises: a step of forming a first chemical mixture by plasma excitation of a first process gas containing at least one additional gas selected from a group consisting of He, H_2, and an inert gas; and a step of exposing a first material on a substrate to the first chemical mixture in order to modify a first region of the first material. Afterwards, the method comprises: a step of forming a second chemical mixture by plasma excitation of a second process gas containing an inert gas and an additional gas containing C, H, and F; and a step of exposing the first material on the substrate to a second plasma excited process gas to selectively etch the first material containing silicon oxide for the second material and remove the modified first material from the first region of the substrate. 에칭 방법이 설명된다. 상기 방법은 불활성 가스 및 He 및 H로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 추가 가스를 함유하는 제1 프로세스 가스의 플라즈마 여기에 의해 제1 화학 혼합물을 형성하는 단계와, 제1 재료의 제1 영역을 변경하기 위하여 기판 상의 제1 재료를 제1 화학 혼합물에 노출시키는 단계를 포함한다. 그 후, 상기 방법은 불활성 가스 그리고 C, H, 및 F를 함유하는 추가 가스를 함유하는 제2 프로세스 가스의 플라즈마 여기에 의해 제2 화학 혼합물을 형성하는 단계와, 제2 재료에 대하여 실리콘 산화물을 함유하는 제1 재료를 선택적으로 에칭하고 기판의 제1 영역으로부터 변경된 제1 재료를 제거하기 위하여 기판 상의 제1 재료를 제2 플라즈마 여기 프로세스 가스에 노출시키는 단계를 포함한다.