MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: YANG, YOUNG HO, EOM, HYENG WOO, CHOI, WON JOON, KO, MIN SUNG, LEE, KWANG WOOK, CHUNG, WOO JAE, KIM, KYEONG BAE, SHEEN, DONG SUN, SHIM, JUNG MYOUNG, KIM, JONG GI
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 20.03.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

According to an embodiment of the present invention, a manufacturing method of a semiconductor device can comprise: a step of forming conductive patterns separated by a slit passing through interlayer insulating films, in interlayer spaces between the interlayer insulating films; a step of forming a second byproduct in a gas state by reacting a first byproduct remaining in the conductive patterns with source gas; a step of exhausting the second byproduct; and a step of filling the inside of the slit with a sealing insulating film such that the conductive patterns are sealed inside the interlayer spaces. 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 장치의 제조방법은 층간 절연막들 사이의 층간 공간들 내부에, 상기 층간 절연막들을 관통하는 슬릿에 의해 분리된 도전 패턴들을 형성하는 단계; 상기 도전 패턴들 내에 잔류된 제1 부산물을 소스가스와 반응시켜 가스 상태의 제2 부산물을 형성하는 단계; 상기 제2 부산물을 배기하는 단계; 및 상기 도전 패턴들이 상기 층간 공간들 내부에 밀폐되도록 상기 슬릿 내부를 실링 절연막으로 채우는 단계를 포함할 수 있다.