SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: BYUN, HYUN SOOK, LEE, WON SOK, SEO, HYEOUNG WON, CHO, MIN HEE
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 11.03.2019
• Subjects: ELECTRICITY

The semiconductor device comprises: a substrate including an active region defined by a device isolation film; and a word line structure provided in a trench above the substrate. The word line structure comprises a gate insulating pattern covering an inner surface of the trench, a gate electrode pattern on the gate insulating pattern, a first work function pattern interposed between the gate insulating pattern and the gate electrode pattern, and a second work function pattern provided on the first work function pattern and extending along a side surface of the gate electrode pattern. The upper surface of the first work function pattern is disposed at a lower level than the bottom surface of the gate electrode pattern, and the work function of the first work function pattern is greater than the work function of the second work function pattern. 반도체 장치는 소자 분리막에 의해 정의된 활성 영역을 포함하는 기판, 및 기판 상부의 트렌치 내에 제공되는 워드 라인 구조체를 포함하되, 워드 라인 구조체는, 트렌치의 내면을 덮는 게이트 절연 패턴, 게이트 절연 패턴 상의 게이트 전극 패턴, 게이트 절연 패턴과 게이트 전극 패턴 사이에 개재하는 제1 일함수 패턴, 및 제1 일함수 패턴 상에 제공되고, 게이트 전극 패턴의 측면을 따라 연장되는 제2 일함수 패턴을 포함하고, 제1 일함수 패턴의 상면은 게이트 전극 패턴의 바닥면보다 낮은 레벨에 배치되고, 제1 일함수 패턴의 일함수는 제2 일함수 패턴의 일함수보다 크다.