FILM-FORMING METHOD AND FILM-FORMING APPARATUS

• Main Authors: KANEKO MIYAKO, WAGATSUMA YUICHIRO, NORO NAOTAKA
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 08.03.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

The present invention prevents metal contamination on a back surface of a substrate in forming a film on a substrate using a gas composed of an organometallic compound. The film forming method comprises: a precoating process of supplying a first gas including silicon into a processing container (11) in a state where the substrate (W) is not loaded, and coating a surface of a member in the processing container (11) including a loading table (31) for loading the substrate (W) with a film constituted by silicon; a loading process of loading the substrate (W) on the loading table (31) such that the film formed by the silicon is in contact with the back surface thereof; and a film forming process of supplying a second gas including the organometallic compound into the processing container (11), and forming a film made of a metal constituting the organometallic compound on the substrate (W). 본 발명은, 유기 금속 화합물로 이루어지는 가스를 사용해서 기판에 성막을 행하는 데 있어서, 기판의 이면의 금속 오염을 방지하는 것이다. 기판(W)이 반입되지 않은 상태의 처리 용기(11) 내에 실리콘을 포함하는 제1 가스를 공급하여, 기판(W)을 적재하기 위한 적재대(31)를 포함하는 상기 처리 용기(11) 내의 부재의 표면을 실리콘에 의해 구성되는 막으로 피복하는 프리코팅 공정과, 이어서 상기 실리콘에 의해 구성되는 막에, 그의 이면이 접하도록 상기 기판(W)을 상기 적재대(31)에 적재하는 적재 공정과, 계속해서 유기 금속 화합물을 포함하는 제2 가스를 상기 처리 용기(11) 내에 공급하여, 상기 유기 금속 화합물을 구성하는 금속으로 이루어지는 막을 기판(W)에 성막하는 성막 공정을 실시한다.