A MAGNETIC JUNCTION A MAGNETIC MEMORY USING THE SAME AND A METHOD FOR PROVIDING THE MAGNETIC JUNCTION

• Main Authors: KROUNBI MOHAMAD TOWFIK, LEE DON KOUN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 08.03.2019
• Subjects: ELECTRICITY

The present invention provides magnetic junction which can be used in a magnetic device and is provided on a substrate. The magnetic junction includes: a pinned layer; an insertion layer including at least a magnetic material and at least a high crystallization temperature nonmagnetic material; a perpendicular enhancement layer; a nonmagnetic spacer layer; and a free layer. The insertion layer is provided between the pinned layer and the perpendicular enhancement layer, and the perpendicular enhancement layer is provided between the insertion layer and the nonmagnetic spacer layer. The nonmagnetic spacer layer is provided between the perpendicular enhancement layer and the free layer. The free layer can be switched in multiple stable magnetic states when a write current passes through the magnetic junction. Each one of the free layer, perpendicular enhancement layer, and pinned layer has a perpendicular magnetic anisotropy energy higher than out-of-plane demagnetization energy to the outside of a plane. 기판 상에 제공되고, 자기 장치(magnetic device)에서 이용할 수 있는 자기 접합(magnetic junction)이 제공된다. 상기 자기 접합은 고정층(pinned layer), 적어도 하나의 자기 물질(magnetic material) 및 적어도 하나의 고 결정화온도 비자기 물질(high crystallization temperature nonmagnetic material)을 포함하는 삽입층(insertion layer), 수직 강화층(perpendicular enhancement layer), 비자기 스페이서층(nonmagnetic spacer layer), 및 자유층(free layer)을 포함하되, 삽입층은 고정층과 수직 강화층 사이에 제공되고, 수직 강화층은 삽입층과 비자기 스페이서층 사이에 제공되고, 비자기 스페이서층은 수직강화층과 자유층 사이에 제공되고, 자유층은 쓰기 전류(write current)가 자기 접합을 통과할 때, 복수의 안정된 자기 상태(magnetic state) 사이에서 스위칭 가능하고, 자유층, 수직 강화층, 및 고정층 각각은 평면 외부로의 자기 소거 에너지(out-of-plane demagnetization energy)보다 큰 수직 자기 이방성 에너지(perpendicular magnetic anisotropy energy)를 갖는다.