FIN PATTERNING FOR SEMICONDUCTOR DEVICES

• Main Authors: CHEN YEN MING, HO CHIA CHENG, LEE TSUNG LIN, TSAI TZUNG YI, TSAI HAN TING, LIN MING SHIANG, CHEN DIAN HAU
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 08.03.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Disclosed is a method for forming a semiconductor device. The method comprises the steps of: providing a substrate and a device with a hard mask layer on the substrate; forming a mandrel on the hard mask layer; depositing a material layer on side walls of the mandrel; injecting a dopant to the material layer; forming the patterned hard mask layer by performing an etching process on the hard mask layer collectively using the mandrel and material layer as an etching mask, wherein the etching process simultaneously generates a dielectric layer deposited on the side walls of the patterned hard mask layer, and the dielectric layer contains the dopant; and forming a fin by etching the substrate through collectively using the patterned hard mask layer and dielectric layer as the etching mask. 반도체 디바이스를 형성하는 방법이 개시된다. 그 방법은 기판과 기판 위의 하드 마스크층을 갖는 디바이스를 제공하는 단계; 하드 마스크층 위에 맨드릴을 형성하는 단계; 맨드릴의 측벽들 상에 재료층을 증착하는 단계; 재료층에 도펀트를 주입하는 단계; 맨드릴과 재료층을 에칭 마스크로서 집합적으로 사용하여 하드 마스크층 상에 에칭 프로세스를 수행함으로써, 패터닝된 하드 마스크층을 형성하는 단계 - 에칭 프로세스는 패터닝된 하드 마스크층의 측벽들 상에 증착된 유전체층을 동시에 생성하고, 유전체층은 도펀트를 함유함 -; 및 패터닝된 하드 마스크층과 유전체층을 에칭 마스크로서 집합적으로 사용하여 기판을 에칭함으로써 핀을 형성하는 단계를 포함한다.