산화물 반도체 막 및 그 제조 방법

양호한 p형 반도체 특성을 갖는 신규하고 또한 유용한 산화물 반도체 막과 그 제조 방법을 제공한다. 주기율표의 제 9 족 금속(로듐, 이리듐, 코발트 등) 및/또는 제 13 족 금속(인듐, 알루미늄, 갈륨 등)과 p형 도판트(마그네슘 등)를 포함하는 원료 용액을 안개화하여 미스트를 생성하고, 이어서 캐리어 가스를 이용하여, 기체의 표면 근방까지 상기 미스트를 반송한 후, 상기 미스트를 상기 기체 표면 근방에서 산소 분위기 하에서 열 반응시킴으로써, 상기 기체 상에 산화물 반도체 막을 형성한다. A new and useful oxid...

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Main Authors TANIKAWA TOMOCHIKA, HITORA TOSHIMI
Format Patent
LanguageKorean
Published 06.03.2019
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:양호한 p형 반도체 특성을 갖는 신규하고 또한 유용한 산화물 반도체 막과 그 제조 방법을 제공한다. 주기율표의 제 9 족 금속(로듐, 이리듐, 코발트 등) 및/또는 제 13 족 금속(인듐, 알루미늄, 갈륨 등)과 p형 도판트(마그네슘 등)를 포함하는 원료 용액을 안개화하여 미스트를 생성하고, 이어서 캐리어 가스를 이용하여, 기체의 표면 근방까지 상기 미스트를 반송한 후, 상기 미스트를 상기 기체 표면 근방에서 산소 분위기 하에서 열 반응시킴으로써, 상기 기체 상에 산화물 반도체 막을 형성한다. A new and useful oxide semiconductor film with enhanced p-type semiconductor property and the method of manufacturing the oxide semiconductor film are provided. A method of manufacturing an oxide semiconductor film including: generating atomized droplets by atomizing a raw material solution containing a metal of Group 9 of the periodic table and/or a metal of Group 13 of the periodic table and a p-type dopant; carrying the atomized droplets onto a surface of a base by using a carrier gas; causing a thermal reaction of the atomized droplets adjacent to the surface of the base under oxygen atmosphere to form the oxide semiconductor film on the base.
Bibliography:Application Number: KR20187037577