반도체 가공용 시트

• Main Authors: NAKAMURA MASATOMO, SAIKI NAOYA, ONO YOSHITOMO
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 06.03.2019
• Subjects: ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; ADHESIVES; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMISTRY; DYES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; METALLURGY; MISCELLANEOUS APPLICATIONS OF MATERIALS; MISCELLANEOUS COMPOSITIONS; NATURAL RESINS; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; PAINTS; POLISHES; SEMICONDUCTOR DEVICES; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES

적어도 기재를 구비하는 반도체 가공용 시트로서, 복원율이 70 ％ 이상, 100 ％ 이하이거나, 23 ℃ 에 있어서 기재의 CD 방향으로 측정되는 100 ％ 응력에 대한, 23 ℃ 에 있어서 기재의 MD 방향으로 측정되는 100 ％ 응력의 비가, 0.8 이상, 1.2 이하이거나, 또는 23 ℃ 에 있어서 기재의 MD 방향 및 CD 방향으로 측정되는 인장 탄성률이, 각각 10 ㎫ 이상, 350 ㎫ 이하이고, 또한 23 ℃ 에 있어서 기재의 MD 방향 및 CD 방향으로 측정되는 100 ％ 응력이, 각각 3 ㎫ 이상, 20 ㎫ 이하이고, 또한 23 ℃ 에 있어서 기재의 MD 방향 및 CD 방향으로 측정되는 파단 신도가, 각각 100 ％ 이상인 반도체 가공용 시트. 이러한 반도체 가공용 시트는, 크게 연신할 수 있고, 반도체 칩끼리를 충분히 이간시킬 수 있다. A semiconductor processing sheet comprising at least a base material, wherein: the semiconductor processing sheet has a recovery rate of not less than 70% and not more than 100%; or the ratio of a 100% stress measured in an MD direction of the base material at 23°C to the 100% stress measured in a CD direction of the base material at 23°C is not less than 0.8 and not more than 1.2; or the tensile elasticity measured in the MD direction and the CD direction of the base material at 23°C is in each case not less than 10 MPa and not more than 350 MPa, the 100% stress measured in the MD direction and the CD direction of the base material at 23°C is in each case not less than 3 MPa and not more than 20 MPa, and the rupture elongation measured in the MD direction and the CD direction of the base material at 23°C is in each case not less than 100%. The semiconductor processing sheet can be greatly stretched, allowing semiconductor chips to be moved apart from each other sufficiently.