Semiconductor device and method for manufacturing the same
The present invention relates to a semiconductor element and a manufacturing method thereof, and more specifically, the semiconductor element comprises: a substrate including a first region and a second region; memory transistors disposed on the first region; a first wiring layer disposed on the mem...
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Format | Patent |
Language | English Korean |
Published |
06.03.2019
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Summary: | The present invention relates to a semiconductor element and a manufacturing method thereof, and more specifically, the semiconductor element comprises: a substrate including a first region and a second region; memory transistors disposed on the first region; a first wiring layer disposed on the memory transistors, and including first wirings; and a second wiring layer disposed on the first wiring layer, and including second wirings. The second wirings include a first line and a second line having a width smaller than the first line. The first line has a protruding part extending toward the substrate, and a level of a bottom surface of the protruding part is lower than the level of a bottom surface of the second line.
본 발명은 반도체 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 제1 영역 및 제2 영역을 포함하는 기판; 상기 제1 영역 상에 배치된 메모리 트랜지스터들; 상기 메모리 트랜지스터들 상에 배치되고, 제1 배선들을 포함하는 제1 배선층; 및 상기 제1 배선층 상에 배치되고, 제2 배선들을 포함하는 제2 배선층을 포함한다. 상기 제2 배선들은, 제1 라인 및 상기 제1 라인보다 폭이 작은 제2 라인을 포함하고, 상기 제1 라인은 상기 기판을 향해 연장되는 돌출부를 갖고, 상기 돌출부의 바닥면의 레벨은 상기 제2 라인의 바닥면의 레벨보다 낮다. |
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Bibliography: | Application Number: KR20170106194 |