기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

• Main Authors: SOTOKU KOTA, TAKAHASHI HIROAKI, HATANO AKITO, HAYASHI TOYOHIDE, GOHARA TAKAYUKI
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 05.03.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

기판 처리 장치는, 지지 부재와, 후드와, 급기 유닛과, 배기 유닛을 구비한다. 급기 유닛은, 급기구로부터 토출된 기체를, 기판의 상면과 천장면 사이의 공간에 당해 공간의 주위로부터 공급한다. 배기 유닛은, 천장면에 있어서 기판의 상면의 중심부에 대향하는 위치에서 개구하는 배기구를 통하여 기판의 상면과 천장면 사이의 기체를 배출한다. 기판의 상면의 중심부에서의 기판의 상면과 천장면의 간격은, 기판의 상면의 외주부에서의 기판의 상면과 천장면의 간격보다 좁다. This substrate processing device comprises a support member, a hood, a gas supply unit, and a gas exhaust unit. The gas supply unit supplies a gas delivered from a gas supply opening to a space between an upper surface of a substrate and a ceiling surface from around the space. The gas exhaust unit discharges the gas between the upper surface of the substrate and the ceiling surface through a gas exhaust opening that is opened in the ceiling surface at a position opposing a center part of the upper surface of the substrate. The spacing between the upper surface of the substrate and the ceiling surface at the center part of the upper surface of the substrate is smaller than the spacing between the upper surface of the substrate and the ceiling surface at an outer peripheral part of the upper surface of the substrate.