METHODS FOR DEPOSITING A DOPED GERMANIUM TIN SEMICONDUCTOR AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES

• Main Authors: PROFIJT HARALD BENJAMIN, KOHEN DAVID
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 05.03.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Disclosed is a method of depositing a germanium tin (Ge_1-xSn_x) semiconductor. The method can comprise: a step of providing a substrate in a reaction chamber; a step of heating the substrate to a depositing temperature; and a step of exposing the substrate to germanium and a tin precursor. The method can comprise: a step of depositing the germanium tin (Ge_1-xSn_x) semiconductor on a surface of the substrate; and a step of exposing the germanium tin (Ge_1-xSn_x) semiconductor to a boron dopant precursor. A semiconductor element structure including the germanium tin (Ge_1-xSn_x) semiconductor formed by the method of the present disclosure is also provided. 게르마늄 주석(GeSn) 반도체를 증착하는 방법이 개시된다. 상기 방법은 기판을 반응 챔버 내에 제공하는 단계, 상기 기판을 증착 온도로 가열하는 단계, 및 상기 기판을 게르마늄 및 주석 전구체에 노출시키는 단계를 포함할 수 있다. 상기 방법은 게르마늄 주석(GeSn) 반도체를 기판의 표면 상에 증착하는 단계 및 상기 게르마늄 주석(GeSn) 반도체를 붕소 도펀트 전구체에 노출시키는 단계를 더 포함할 수 있다. 본 개시의 방법에 의해 형성된 게르마늄 주석(GeSn) 반도체를 포함하는 반도체 소자 구조가 또한 제공된다.