FIN-BASED STRAP CELL STRUCTURE

• Main Author: LIAW JHON JHY
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 22.02.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

According to the present invention, disclosed is a fin-based strap cell structure for increasing performance of a memory array such as an SRAM array. An exemplary integrated circuit (IC) device comprises a FinFET disposed over a doped region of a first type dopant. The FinFET comprises a first fin structure doped with a first dopant concentration of the first type dopant and a first source/drain feature of a second type dopant. The IC device further comprises a fin-based well strap disposed over the doped region of the first type dopant. The fin-based well strap connects the doped region to a voltage. The fin-based well strap comprises a second fin structure doped with a second dopant concentration of the first type dopant and a second source/drain feature of the first type dopant. The second dopant concentration is higher (for example, at least 3 times higher) than the first dopant concentration. SRAM 어레이와 같은 메모리 어레이의 성능을 향상시키기 위한 핀-기반 웰 스트랩이 본 명세서에 개시되어 있다. 예시적인 집적 회로(IC) 디바이스는 제1 유형 도펀트의 도핑 영역 위에 배치된 FinFET를 포함한다. FinFET은 제1 유형 도펀트의 제1 도펀트 농도로 도핑된 제1 핀 구조 및 제2 유형 도펀트의 제1 소스/드레인 피처들을 포함한다. IC 디바이스는 제1 유형 도펀트의 도핑 영역 위에 배치된 핀-기반 웰 스트랩을 더 포함한다. 핀-기반 웰 스트랩은 도핑 영역을 전압에 연결한다. 핀-기반 웰 스트랩은 제1 유형 도펀트의 제2 도펀트 농도로 도핑된 제2 핀 구조 및 제1 유형 도펀트의 제2 소스/드레인 피처들을 포함한다. 제2 도펀트 농도는 제1 도펀트 농도보다 더 높다(예를 들어, 적어도 3배 더 높다).