METHODS AND APPARATUSES FOR ETCH PROFILE OPTIMIZATION BY REFLECTANCE SPECTRA MATCHING AND SURFACE KINETIC MODEL OPTIMIZATION

• Main Authors: GOTTSCHO RICHARD A, TETIKER MEHMET DERYA, SRIRAMAN SARAVANAPRIYAN, PATERSON ALEX, BAILEY III ANDREW D
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 19.02.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Disclosed are methods for optimizing a computer model to associate an etching profile of a feature on a semiconductor substrate with a set (A) of independent input parameters through a use of a plurality of model parameters (B). In some embodiments, the methods can include a step of correcting at least one value of (B) so as to reduce a metric representing differences between a calculated reflection spectrum generated from the computer model for one or more sets of values of (A) and a corresponding experimental reflection spectrum. In other embodiments, a step of computing the metric can include the operations of projecting the experimental reflection spectrum corresponding to the calculated reflection spectrum onto a reduced dimension subspace, and calculating a difference between reflection spectrums when projected onto the subspace. Also, described are etching systems which implement such optimized computer models. 반도체 기판 상의 피처의 에칭 프로파일을 복수의 모델 파라미터들 (B) 의 사용을 통해 독립적인 입력 파라미터들의 세트 (A) 에 관련시키는 컴퓨터 모델을 최적화하는 방법들이 개시된다. 일부 실시예들에서, 방법들은 A의 하나 이상의 값들의 세트들에 대해 컴퓨터 모델로부터 생성된 계산된 반사 스펙트럼과 대응하는 실험적 반사 스펙트럼 간의 차들을 나타내는 메트릭을 감소시키도록 B의 하나 이상의 값들을 수정하는 단계를 포함할 수도 있다. 일부 실시예들에서, 메트릭을 계산하는 단계는 감소된 차원의 부분 공간 (subspace) 상에 계산된 반사 스펙트럼과 대응하는 실험적 반사 스펙트럼을 사영하는 동작 및 부분 공간 상에 사영될 때 반사 스펙트럼 간의 차를 계산하는 동작을 포함할 수도 있다. 또한 이러한 최적화된 컴퓨터 모델들을 구현하는 에칭 시스템들이 기재된다.