다공성 그래핀 막의 제조 방법 및 상기 방법을 사용하여 제조된 막

• Main Authors: CHOI KYOUNGJUN, PARK HYUNG GYU, HEIGHT MURRAY
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 14.02.2019
• Subjects: ACCESSORIES; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMISTRY; COMPOUNDS THEREOF; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; HUMAN NECESSITIES; INORGANIC CHEMISTRY; METALLURGY; NON-METALLIC ELEMENTS; OUTERWEAR; PERFORMING OPERATIONS; PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL; PROTECTIVE GARMENTS; SEMICONDUCTOR DEVICES; SEPARATION; TRANSPORTING; WEARING APPAREL

평균 크기가 5-900 nm 범위인 기공(6)을 포함하는, 두께 100 nm 미만의 다공성 그래핀층(5)의 제조 방법이 제시되며, 상기 제조 방법은: 촉매 활성 기재(1)를 제공하여, 화학적 기상 증착 조건 하에서의 그래핀 형성을 촉매화하는 단계로서, 기재의 표면(3) 내에서 또는 표면(3) 상에서 상기 촉매 활성 기재(1)에, 생성된 다공성 그래핀층(5)에서의 기공(6) 크기에 필수적으로 상응하는 크기를 갖는 복수의 촉매 불활성 도메인(2)들이 제공되어 있는, 단계; 기체상 내의 탄소 공급원을 사용하여 화학적 기상 증착시키고, 상기 촉매 활성 기재(1)의 표면(3) 상에 상기 다공성 그래핀층(5)을 형성하는 단계로서, 상기 그래핀층(5) 내의 기공(6)은 상기 촉매 불활성 도메인(2)의 존재로 인해 인 시츄(in situ) 형성되는, 단계 를 포함한다. Method for making a porous graphene layer (5) of a thickness of less than 100 nm with pores (6) having an average size in the range of 5-900 nm, is presented, comprising the following steps: providing a catalytically active substrate (1) catalyzing graphene formation under chemical vapor deposition conditions, said catalytically active substrate (1) in or on its surface (3) being provided with a plurality of catalytically inactive domains (2) having a size essentially corresponding to the size of the pores (6) in the resultant porous graphene layer (5); chemical vapor deposition using a carbon source in the gas phase and formation of the porous graphene layer (5) on the surface (3) of the catalytically active substrate (1), the pores (6) in the graphene layer (5) in situ being formed due to the presence of the catalytically inactive domains (2).