방사선 방출 반도체 칩

• Main Authors: KOPP FABIAN, MUERMANN BJOERN, EBERHARD FRANZ, MOLNAR ATTILA
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 13.02.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

본 발명에서는 방사선 방출 반도체 칩(1)이 제시되며, 상기 방사선 방출 반도체 칩은 방사선을 발생시키기 위해 제공된 활성 영역(20)을 갖는 반도체 몸체(2); 상기 반도체 칩의 외부 전기 접촉을 위한 제1 콘택 면(31) 및 상기 제1 콘택 면과 연결된 제1 콘택 핑거 구조(35)를 갖는 제1 콘택 층(3); 상기 반도체 칩의 외부 전기 접촉을 위한 제2 콘택 면(41) 및 상기 제2 콘택 면과 연결된 제2 콘택 핑거 구조(45)를 갖는 제2 콘택 층(4) - 이때 상기 제1 콘택 핑거 구조와 제2 콘택 핑거 구조는 상기 반도체 칩의 평면도에서 볼 때, 국부적으로 중첩됨 -; 상기 제1 콘택 층에 전기 전도성으로 연결된 전류 분배 층(51); 상기 전류 분배 층을 통해 상기 제1 콘택 층과 전기 전도성으로 연결된 접속 층(52); 및 유전체 재료를 함유하는 절연 층(6)을 포함하고, 상기 절연 층은 국부적으로 상기 접속 층과 전류 분배 층 사이에 배치된다. In an embodiment a radiation-emitting semiconductor chip includes a semiconductor body having an active region configured to generate radiation, a first contact layer having a first contact area and a first contact finger structure connected to the first contact area, a second contact layer having a second contact area and a second contact finger structure connected to the second contact area, a current distribution layer electrically conductively connected to the first contact layer, a connection layer electrically conductively connected to the first contact layer via the current distribution layer and an insulation layer, wherein the insulation layer is arranged in places between the connection layer and the current distribution layer, wherein the insulation layer has at a plurality of openings, in which the connection layer and the current distribution layer adjoin one another, and wherein edge regions of the insulation layer includes more openings than a central region of the insulation layer.