전자 빔 플라즈마 프로세스에 의해 형성된 다이아몬드상 탄소 층

• Main Authors: CHEN LUCY ZHIPING, LIU JINGJING, NEMANI SRINIVAS D, ZHOU JIE, YANG YANG, LANE STEVEN, CARDUCCI JAMES D, RAMASWAMY KARTIK, YING CHENTSAU, MONROY GONZALO, COLLINS KENNETH S
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 11.02.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

원하는 필름 밀도, 기계적 강도 및 광학적 필름 특성들을 갖는 다이아몬드상 탄소 층을 형성하기 위한 방법들이 제공된다. 일 실시예에서, 다이아몬드상 탄소 층을 형성하는 방법은, 처리 챔버에 배치된 기판의 표면 위에 전자 빔 플라즈마를 발생시키는 단계, 및 기판의 표면 상에 다이아몬드상 탄소 층을 형성하는 단계를 포함한다. 다이아몬드상 탄소 층은 전자 빔 플라즈마 프로세스에 의해 형성되고, 다이아몬드상 탄소 층은 반도체 응용들의 식각 프로세스에서 하드마스크 층으로서 역할을 한다. 다이아몬드상 탄소 층은, 탄소를 함유하는 가스 혼합물에서 이차 전자 빔을, 처리 챔버에 배치된 기판의 표면에 발생시키기 위해, 처리 챔버에 배치된 탄소 함유 전극에 충격을 주고, 가스 혼합물의 원소들로부터 기판의 표면 상에 다이아몬드상 탄소 층을 형성함으로써 형성될 수 있다. Methods for forming a diamond like carbon layer with desired film density, mechanical strength and optical film properties are provided. In one embodiment, a method of forming a diamond like carbon layer includes generating an electron beam plasma above a surface of a substrate disposed in a processing chamber, and forming a diamond like carbon layer on the surface of the substrate. The diamond like carbon layer is formed by an electron beam plasma process, wherein the diamond like carbon layer serves as a hardmask layer in an etching process in semiconductor applications. The diamond like carbon layer may be formed by bombarding a carbon containing electrode disposed in a processing chamber to generate a secondary electron beam in a gas mixture containing carbon to a surface of a substrate disposed in the processing chamber, and forming a diamond like carbon layer on the surface of the substrate from elements of the gas mixture.