원자 층 에칭 시스템들 및 방법들

• Main Authors: FAGUET JACQUES, HURD TRACE, BROWN IAN
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 11.02.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

처리 장치는, 기판 홀더를 갖는 처리 챔버; 처리 챔버 내에 제1 소스 가스를 전달하도록 구성된 제1 가스 전달 시스템; 처리 챔버 내에 제2 소스 가스를 전달하도록 구성된 제2 가스 전달 시스템; 에너지 활성화 시스템; 및 처리 회로를 포함한다. 처리 회로는, 제1 소스 가스의 전달을 위한 제1 처리 파라미터들을 제어하고, 제2 소스 가스의 전달을 위한 제2 처리 파라미터들을 제어하며, 플라즈마의 부재시에 하나 이상의 부품의 표면으로부터 원자 층을 에칭하기 위해 처리 챔버 내의 하나 이상의 부품의 표면과 제1 소스 가스 및 상기 제2 소스 가스의 반응을 야기하는 처리 챔버 파라미터들 및 에너지 활성화 시스템 파라미터들을 제어하고, 처리 챔버로부터 하나 이상의 반응 가스를 제거하기 위한 진공 시스템 파라미터들을 제어하도록 구성된다. A processing apparatus includes a processing chamber having a substrate holder; a first gas delivery system configured to deliver a first source gas within the processing chamber; a second gas delivery system configured to deliver a second source gas within the processing chamber; an energy activation system; and processing circuitry. The processing circuitry is configured to control first processing parameters for delivery of the first source gas, control second processing parameters for delivery of the second source gas, control processing chamber parameters and energy activation system parameters to cause a reaction of the first source gas and the second source gas with a surface of one or more parts in the processing chamber to etch an atomic layer from the surface of the one or more parts in absence of a plasma, and control vacuum system parameters for removal of one or more reaction gases from the processing chamber.