Reconfigurable logic device using electrochemical potentials

Provided, in the present invention, is a functional reconfigurable logic element using an electrochemical potential comprising: a first semiconductor channel and a second semiconductor channel, wherein an effective magnetic field direction of the channel can be controlled in a direction of a current...

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Main Authors CHANG, JOON YEON, KIM, HYUNG JUN, JANG, CHA UN, HAN, SUK HEE, LEE, JOO HYEON, KOO, HYUN CHEOL
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 11.02.2019
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Summary:Provided, in the present invention, is a functional reconfigurable logic element using an electrochemical potential comprising: a first semiconductor channel and a second semiconductor channel, wherein an effective magnetic field direction of the channel can be controlled in a direction of a current, and the first semiconductor channel and the second semiconductor channel being spaced apart from each other; a first ferromagnetic gate in contact with the first semiconductor channel and a second ferromagnetic gate in contact with the second semiconductor channel, wherein a magnetization direction can be controlled by a gate voltage; and a control part for calculating a difference value corresponding to a difference of a first determination value determined to be a different value according to whether a direction of an effective magnetic field of the first semiconductor channel is the same as a magnetization direction of the first ferromagnetic gate and a second determination value determined as a different value according to whether the direction of an effective magnetic field of the second semiconductor channel is the same as a magnetization direction of the second ferromagnetic gate, wherein the difference value is compared with a reference value to determine an output value. 본 발명은 전류의 방향으로 채널의 유효 자기장 방향이 제어될 수 있되, 서로 이격되어 배치된, 제 1 반도체 채널 및 제 2 반도체 채널; 게이트 전압으로 자화 방향이 제어될 수 있되, 상기 제 1 반도체 채널과 접하는 제 1 강자성 게이트 및 상기 제 2 반도체 채널과 접하는 제 2 강자성 게이트; 및 상기 제 1 반도체 채널의 유효 자기장 방향과 상기 제 1 강자성 게이트의 자화 방향의 동일 여부에 따라 각각 다른 값으로 결정되는 제 1 결정값과 상기 제 2 반도체 채널의 유효 자기장 방향과 상기 제 2 강자성 게이트의 자화 방향의 동일 여부에 따라 각각 다른 값으로 결정되는 제 2 결정값의 차이에 해당하는 차이값을 산출하고, 상기 차이값을 기준값과 비교하여 출력값을 결정하는 제어부;를 포함하는 기화학적 포텐셜을 이용한 기능 재설정형 로직 소자를 제공한다.
Bibliography:Application Number: KR20170095635