IMAGE SENSOR

• Main Authors: KIM, CHANG HWA, PARK, SE JUNG, LEE, BEOM SUK, PARK, SANG SU, KIM, JUNG HUN, BYUN, KYUNG RAE
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 30.01.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided is an image sensor capable of implementing high resolution. The image sensor comprises: an insulating pattern disposed on a semiconductor substrate and having an opening; a color filter disposed in the opening of the insulating pattern; a capping insulating layer disposed on the color filter; a first electrode disposed on the capping insulating layer and having a region overlapping the color filter; an isolation structure surrounding a side surface of the first electrode; and a photoelectric layer on the first electrode. The isolation structure includes first and second insulating layers formed of different materials. 이미지 센서를 제공한다. 이 이미지 센서는 반도체 기판 상에 배치되며 개구부를 갖는 절연 패턴; 상기 절연 패턴의 상기 개구부 내에 배치되는 컬러 필터; 상기 컬러 필터 상에 배치되는 캐핑 절연 층; 상기 캐핑 절연 층 상에 배치되며 상기 컬러 필터와 중첩하는 부분을 갖는 제1 전극; 상기 제1 전극의 측면을 둘러싸는 분리 구조체; 및 상기 제1 전극 상의 광전 층을 포함한다. 상기 분리 구조체는 서로 다른 물질로 형성되는 제1 절연 층 및 제2 절연 층을 포함한다.