플라즈마 조절을 위한 요소를 포함하는 반도체 리소그래피용 투영 노광 시스템

본 발명은 주위로부터 폐쇄되어 있는 적어도 하나의 서브-체적(4)을 포함하는 반도체 리소그래피용 투영 노광 시스템(400)에 관한 것이고, 상기 서브-체적(4)은 그로부터 플라즈마가 발생될 수 있는 가스를 포함한다. 플라즈마를 조절하기 위한, 특히 중성화하기 위한 조절 요소(20, 21, 22, 23, 24, 25)는 상기 서브-체적(4) 내에 제공된다. 본 발명은 또한 투영 노광 시스템(400)을 동작하기 위한 방법에 관한 것이다. A projection exposure apparatus (400) for semiconductor...

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Main Authors EHM DIRK HEINRICH, SCHMIDT STEFAN WOLFGANG, AMENT IRENE, VOGEL DIANA, WIESNER STEFAN, BECKER MORITZ
Format Patent
LanguageKorean
Published 29.01.2019
Subjects
APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
CINEMATOGRAPHY
ELECTROGRAPHY
HOLOGRAPHY
MATERIALS THEREFOR
ORIGINALS THEREFOR
PHOTOGRAPHY
PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES
PHYSICS
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Summary:본 발명은 주위로부터 폐쇄되어 있는 적어도 하나의 서브-체적(4)을 포함하는 반도체 리소그래피용 투영 노광 시스템(400)에 관한 것이고, 상기 서브-체적(4)은 그로부터 플라즈마가 발생될 수 있는 가스를 포함한다. 플라즈마를 조절하기 위한, 특히 중성화하기 위한 조절 요소(20, 21, 22, 23, 24, 25)는 상기 서브-체적(4) 내에 제공된다. 본 발명은 또한 투영 노광 시스템(400)을 동작하기 위한 방법에 관한 것이다. A projection exposure apparatus (400) for semiconductor lithography contains at least one partial volume (4) that is closed off from the surroundings. The partial volume (4) contains a gas, from which a plasma can be produced. Conditioning elements (20, 21, 22, 23, 24, 25) for conditioning the plasma, in particular for neutralizing the plasma, are present in the partial volume. An associated method for operating a projection exposure apparatus is also disclosed.
Bibliography:Application Number: KR20187033563