WAVELENGTH CONVERTED LIGHT EMITTING DEVICE

• Main Authors: GRILLOT PATRICK NOLAN, SHCHEKIN OLEG BORISOVICH, ALDAZ GRANELL RAFAEL IGNACIO, STERANKA FRANK MICHAEL, CAMRAS MICHAEL DAVID
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 02.01.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

본 발명의 실시예는 제1 피크 파장을 가지는 제1 광을 방출할 수 있는 반도체 발광 장치(10) 및 제1 광을 흡수하고 제2 피크 파장을 가지는 제2 광을 방출할 수 있는 반도체 파장 변환 요소(12)를 포함한다. 반도체 파장 변환 요소(12)는 지지부(51)에 부착되고 반도체 발광 장치에 의해 방출된 광의 경로에 배치된다. 반도체 파장 변환 요소는 반도체 파장 변환 물질의 적어도 두 개의 제1 영역(46) 및 상기 적어도 두 개의 제1 영역 사이에 배치되는, 반도체 파장 변환 물질이 없는 적어도 하나의 제2 영역(48)을 포함하기 위해 패터닝된다. Embodiments of the invention include a semiconductor light emitting device capable of emitting first light having a first peak wavelength and a semiconductor wavelength converting element capable of absorbing the first light and emitting second light having a second peak wavelength. The semiconductor wavelength converting element is attached to a support and disposed in a path of light emitted by the semiconductor light emitting device. The semiconductor wavelength converting element is patterned to include at least two first regions of semiconductor wavelength converting material and at least one second region without semiconductor wavelength converting material disposed between the at least two first regions.