Superjunction structures for power devices and methods of manufacture

전력 소자는 차례대로 복수개의 제1 및 제2 도전형이 교번하며 정렬된 필러들을 포함하는 반도체 영역을 포함한다. 복수개의 제2 도전형의 필러들의 각각은, 제2 도전형의 필러들의 깊이를 따라 서로의 상부 상에 정렬된 복수개의 제2 도전형의 주입 영역들, 및 상기 복수개의 제2 도전형의 주입 영역들 직접 위로 제2 도전형의 반도체 물질로 충전된 트랜치 영역을 더 포함한다. A power device includes a semiconductor region which in turn includes a plurality of alterna...

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Main Authors YUN CHONGMAN, SHENOY PRAVEEN MURALEEDHARAN, LEE JAEGIL, REXER CHRISTOPHER L, YILMAZ HAMZA, HEIDENREICH HAROLD, PAN JAMES, RINEHIMER MARK L, REICHL DWAYNE S, RIDLEY RODNEY S, YEDINAK JOSPH A
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 27.12.2018
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:전력 소자는 차례대로 복수개의 제1 및 제2 도전형이 교번하며 정렬된 필러들을 포함하는 반도체 영역을 포함한다. 복수개의 제2 도전형의 필러들의 각각은, 제2 도전형의 필러들의 깊이를 따라 서로의 상부 상에 정렬된 복수개의 제2 도전형의 주입 영역들, 및 상기 복수개의 제2 도전형의 주입 영역들 직접 위로 제2 도전형의 반도체 물질로 충전된 트랜치 영역을 더 포함한다. A power device includes a semiconductor region which in turn includes a plurality of alternately arranged pillars of first and second conductivity type. Each of the plurality of pillars of second conductivity type further includes a plurality of implant regions of the second conductivity type arranged on top of one another along the depth of pillars of second conductivity type, and a trench portion filled with semiconductor material of the second conductivity type directly above the plurality of implant regions of second conductivity type.
Bibliography:Application Number: KR20187035953