POLISHING MATERIAL AND POLISHING COMPOSITION
본 발명은 연마재 및 물을 함유하는 연마용 조성물을 제공한다. 연마용 조성물 중 연마재의 함유량은 0.1 질량% 이상이다. 연마재는 산화지르코늄 입자를 함유한다. 산화지르코늄 입자는 1 내지 15 m/g의 비표면적을 갖는다. 산화지르코늄 입자는 99 질량% 이상의 순도를 갖는 것이 바람직하다. 연마용 조성물은 사파이어, 질화규소, 탄화규소, 산화규소, 유리, 질화갈륨, 비화갈륨, 비화인듐, 인화인듐 등의 경취 재료를 연마하는 용도에서 예를 들면 사용된다. Provided is a polishing composition contain...
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Format | Patent |
Language | English Korean |
Published |
19.12.2018
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Summary: | 본 발명은 연마재 및 물을 함유하는 연마용 조성물을 제공한다. 연마용 조성물 중 연마재의 함유량은 0.1 질량% 이상이다. 연마재는 산화지르코늄 입자를 함유한다. 산화지르코늄 입자는 1 내지 15 m/g의 비표면적을 갖는다. 산화지르코늄 입자는 99 질량% 이상의 순도를 갖는 것이 바람직하다. 연마용 조성물은 사파이어, 질화규소, 탄화규소, 산화규소, 유리, 질화갈륨, 비화갈륨, 비화인듐, 인화인듐 등의 경취 재료를 연마하는 용도에서 예를 들면 사용된다.
Provided is a polishing composition containing an abrasive and water. The abrasive content in the polishing composition is no less than 0.1% by mass. The abrasive contains zirconium oxide particles. The zirconium oxide particles have a specific surface area of from 1 to 15 m 2 /g. The zirconium oxide particles preferably have a purity of no less than 99% by mass. The polishing composition is used in, for example, polishing a hard and brittle material, such as sapphire, silicon nitride, silicon carbide, silicon oxide, glass, gallium nitride, gallium arsenide, indium arsenide, and indium phosphide. |
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Bibliography: | Application Number: KR20187035982 |