N-도핑된 선택적 에피택셜 성장을 사용하여 NMOS 핀펫에 비-가시선 소스 드레인 연장부 형성

핀펫 디바이스는, n-도핑된 소스 또는 드레인 연장부가 배치되는 반도체 기판의 벌크 반도체 부분과 핀펫의 게이트 스페이서 사이에 배치되는 n-도핑된 소스 및/또는 드레인 연장부를 포함한다. n-도핑된 소스 또는 드레인 연장부는 게이트 스페이서에 근접하여 형성된 공동의 선택적 에피택셜 성장(SEG) 프로세스에 의해 형성된다. A finFET device includes an n-doped source and/or drain extension that is disposed between a gate spacer of the finFET...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors GOSSMANN HANS JOACHIM LUDWIG, BAUER MATTHIAS, COLOMBEAU BENJAMIN
Format Patent
LanguageKorean
Published 18.12.2018
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
Online AccessGet full text

Cover

More Information
Summary:핀펫 디바이스는, n-도핑된 소스 또는 드레인 연장부가 배치되는 반도체 기판의 벌크 반도체 부분과 핀펫의 게이트 스페이서 사이에 배치되는 n-도핑된 소스 및/또는 드레인 연장부를 포함한다. n-도핑된 소스 또는 드레인 연장부는 게이트 스페이서에 근접하여 형성된 공동의 선택적 에피택셜 성장(SEG) 프로세스에 의해 형성된다. A finFET device includes an n-doped source and/or drain extension that is disposed between a gate spacer of the finFET and a bulk semiconductor portion of the semiconductor substrate on which the n-doped source or drain extension is disposed. The n-doped source or drain extension is formed by a selective epitaxial growth (SEG) process in a cavity formed proximate the gate spacer.
Bibliography:Application Number: KR20187035381