반도체 소자, 그의 제조 방법, 무선 통신 장치 및 센서

기판, 제1 전극, 제2 전극 및 반도체층을 함유하고, 상기 반도체층이 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치된 반도체 소자로서, 상기 반도체층이 카본 나노튜브 및 그래핀에서 선택되는 1종 이상을 함유하고, 상기 반도체 소자의 채널 길이 L및 채널 폭 W의 관계가 0.01≤W/L≤0.8인 반도체 소자. 스위칭 특성이 우수한 반도체 소자, 및 센서로서 이용했을 때에 높은 검출 감도를 갖는 반도체 소자를 제공한다. A semiconductor element including a substrate, a first electrode...

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Main Authors MURASE SEIICHIRO, NAGAO KAZUMASA, ISOGAI KAZUKI
Format Patent
LanguageKorean
Published 14.12.2018
Subjects
ELECTRICITY
INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
MEASURING
PHYSICS
TESTING
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Summary:기판, 제1 전극, 제2 전극 및 반도체층을 함유하고, 상기 반도체층이 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치된 반도체 소자로서, 상기 반도체층이 카본 나노튜브 및 그래핀에서 선택되는 1종 이상을 함유하고, 상기 반도체 소자의 채널 길이 L및 채널 폭 W의 관계가 0.01≤W/L≤0.8인 반도체 소자. 스위칭 특성이 우수한 반도체 소자, 및 센서로서 이용했을 때에 높은 검출 감도를 갖는 반도체 소자를 제공한다. A semiconductor element including a substrate, a first electrode, a second electrode, and a semiconductor layer disposed between the first electrode and the second electrode, wherein the semiconductor layer contains at least one selected from carbon nanotubes and graphene, and a relationship between a channel length L C and a channel width W C of the semiconductor element is 0.01 ‰¤ W C /L C ‰¤ 0.8. A semiconductor element having excellent switching characteristics and high detection sensitivity when used as a sensor is provided.
Bibliography:Application Number: KR20187028796