Semiconductor device having variable resistor memory device

• Main Authors: SONG, YOON JONG, KOH, GWAN HYEOB, LEE, KIL HO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 12.12.2018
• Subjects: ELECTRICITY

According to some embodiment of the present invention, a semiconductor device with RC delay relaxed comprises: a substrate including a memory cell region and a logic region; a variable resistor memory device formed on the memory cell region; a logic device formed on the logic region; a first horizontal bit line extending in a horizontal direction on an upper surface of the substrate on the memory cell region and electrically connected to the variable resistance memory device; a second horizontal bit line extending in a horizontal direction on an upper surface on the logic region and electrically connected to the logic device; and a vertical bit line electrically connected to the first and second horizontal bit lines and extending in a first direction perpendicular to the upper surface. 본 발명의 일부 실시예들에 따른 반도체 소자는 메모리 셀 영역과 로직 영역을 포함하는 기판; 상기 메모리 셀 영역 상에 형성된 가변 저항 메모리 소자; 상기 로직 영역 상에 형성된 로직 소자; 상기 메모리 셀 영역 상에서 상기 기판의 상면에 수평한 방향으로 연장되고, 상기 가변 저항 메모리 소자와 전기적으로 연결될 수 있도록 구성된 제1 수평 비트 라인; 상기 로직 영역 상에서 상기 상면에 수평한 방향으로 연장되고, 상기 로직 소자와 전기적으로 연결될 수 있도록 구성된 제2 수평 비트 라인; 및 상기 제1 수평 비트 라인 및 상기 제2 수평 비트 라인과 전기적으로 연결될 수 있도록 구성되고, 상기 상면에 수직한 제1 방향으로 연장되는 수직 비트 라인을 포함한다.