Method of forming thin film and method of manufacturing integrated circuit device

• Main Authors: KIM, HYUN JUN, KIM, YOUN SOO, LEE, JIN SUN, PARK, GYU HEE, LIM, JAE SOON
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 05.12.2018
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided is a method of forming a thin film easily controlling a step coverage. To form a thin film, a first reaction inhibiting layer chemically adsorbed on a first part of a lower film by supplying a reaction inhibiting compound having a carbonyl group to an exposed surface of the lower film at the temperature of 300 to 600°C is formed. A first precursor layer of a first material chemically adsorbed on a second part of the lower film exposed through the first reaction inhibiting layer at the temperature of 300 to 600°C is formed. By supplying a reactive gas to the first reaction inhibiting layer and the first precursor layer, a first mono layer exposing the first part and including the first material on the lower film is formed by removing the first reaction inhibiting layer from a surface of the lower film. 박막을 형성하기 위하여, 300 ∼ 600 ℃의 온도하에 하부 막의 노출 표면에 카르보닐기(carbonyl group)를 가지는 반응 억제 화합물을 공급하여 상기 하부 막의 제1 부분에 화학 흡착된 제1 반응 억제층을 형성한다. 300 ∼ 600 ℃의 온도하에 상기 제1 반응 억제층을 통해 노출되는 상기 하부 막의 제2 부분에 화학 흡착된 제1 물질의 제1 전구체층을 형성한다. 상기 제1 반응 억제층 및 상기 제1 전구체층에 반응성 가스를 공급하여, 상기 하부 막의 표면으로부터 상기 제1 반응 억제층을 제거하여 상기 제1 부분을 노출시키면서 상기 하부 막상에 상기 제1 물질을 포함하는 제1 모노레이어를 형성한다.