빔 프로파일 반사 측정을 이용한 TSV 구조의 특성 측정 장치 및 방법

• Main Authors: GOODWIN TIMOTHY, LI SHIFANG, NICOLAIDES LENA, TAN RAUL
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 14.11.2018
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

TSV(through-silicon via) 구조의 특성을 측정하는 방법 및 장치가 개시된다. BPR(beam profile reflectometry) 툴은 TSV 구조를 갖는 제1 xy 위치로 이동하는데 사용된다. 그 다음, BPR 툴은 제1 xy 위치에서의 측정치를 얻기 위해 z 위치를 제1 최적 z 위치로 조정함으로써 제1 xy 위치에서 최적의 초점을 얻는데 사용된다. BPR 툴을 통해, 복수의 입사각에 대한 반사율 측정치가 제1 xy 위치에서 얻어진다. TSV 구조에 대한 하나 이상의 막 두께가 반사율 측정치에 기초하여 결정된다. z 위치는 또한 기록되어 하나 이상의 인접한 xy 위치뿐만 아니라 그러한 TSV 구조의 높이를 결정하는 데 사용될 수 있다. Disclosed are methods and apparatus for measuring a characteristics of a through-silicon via (TSV) structure. A beam profile reflectivity (BPR) tool is used to move to a first xy position having a TSV structure. The BPR tool is then used to obtain an optimum focus of at the first xy position by adjusting the z position to a first optimum z position for obtaining measurements at the first xy position. Via the BPR tool, reflectivity measurements for a plurality of angles of incidence are obtained at the first xy position. One or more film thicknesses for the TSV structure are determined based on the reflectivity measurements. A z position can also be recorded and used to determine a height of such TSV structure, as well as one or more adjacent xy positions.