Capacitor and method for manufacturing the same

Provided is a capacitor which comprises: a first electrode and a second electrode that are spaced apart from each other; a dielectric film between the first electrode and the second electrode; and a seed film between the first electrode and the dielectric film. The dielectric film includes a dielect...

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Main Authors PARK, YOUNG LIM, JEON, JOO HYUN, CHO, KYU HO, MOON, SUN MIN, KIM, SU HWAN
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 06.11.2018
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Summary:Provided is a capacitor which comprises: a first electrode and a second electrode that are spaced apart from each other; a dielectric film between the first electrode and the second electrode; and a seed film between the first electrode and the dielectric film. The dielectric film includes a dielectric material having a tetragonal crystal structure. The seed film includes a seed material, wherein the seed material satisfies at least one of the following lattice constant condition: LS = ¦a1 - a2¦ / a1 or coupling length condition: BM = ¦BL1 - BL2¦ / BL1. 서로 이격하는 제1 전극 및 제2 전극, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이의 유전 막, 및 상기 제1 전극과 상기 유전 막 사이의 시드 막을 포함하는 커패시터가 제공된다. 상기 유전 막은 정방 결정 구조의 유전 물질을 포함한다. 상기 시드 막은 시드 물질을 포함하되, 상기 시드 물질은 아래의 격자 상수 조건 또는 결합 길이 조건 중에서 적어도 하나를 만족한다.
Bibliography:Application Number: KR20170053872