Laser annealing apparatus

• Main Authors: KUH, BONG JIN, KIM, KI CHUL, CHARNVANICHBORIKARN SUPAKIT, LEE, JAE HEE, SHIN, JOONG HAN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 31.10.2018
• Subjects: AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMISTRY; CRYSTAL GROWTH; DEVICES USING STIMULATED EMISSION; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES; MEASURING; METALLURGY; PHYSICS; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; SEMICONDUCTOR DEVICES; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH; TESTING; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL

According to some embodiments, a laser annealing apparatus comprises: a laser oscillation structure configured to emit a first laser beam having a first wavelength and a first beam cross section to a semiconductor substrate disposed in a chamber including an optical window; a laser oscillator configured to emit a second laser beam having a second wavelength different from the first wavelength to the semiconductor substrate; a beam magnifying glass disposed on an optical path of the second laser beam to magnify a cross section of the second laser beam to a second beam cross section; a first power meter configured to measure energy of the second laser beam; and a second power meter configured to measure energy of a third laser beam which is light of the second laser beam reflected by the semiconductor substrate, wherein the widths of the first beam cross section and the second beam cross section reached on the semiconductor substrate are substantially the same. The present invention provides a laser annealing apparatus capable of measuring a contamination level of an optical window. 일부 실시예들에 따른 레이저 어닐링 장비는 광학 창을 포함하는 챔버 내에 배치된 반도체 기판으로 제1 파장과 제1 빔 단면을 갖는 제1 레이저 빔을 방출할 수 있도록 구성된 레이저 발진 구조체; 상기 반도체 기판으로 상기 제1 파장과 다른 제2 파장의 제2 레이저 빔을 방출할 수 있도록 구성된 레이저 발진기; 상기 제2 레이저 빔의 광 경로 상에 배치되어 상기 제2 레이저 빔의 단면을 제2 빔 단면으로 확대하는 빔 확대경; 상기 제2 레이저 빔의 에너지를 측정할 수 있도록 구성된 제1 파워 미터; 및 상기 제2 레이저 빔이 상기 반도체 기판에 의해 반사된 광인 제3 레이저 빔의 에너지를 측정할 수 있도록 구성된 제2 파워 미터를 더 포함하되, 상기 반도체 기판 상에 도달한 상기 제1 빔 단면과 상기 제2 빔 단면의 넓이는 실질적으로 동일한 것을 특징으로 할 수 있다.