Schottky diode and integrated circuit including the same

• Main Authors: JO, DAE HYUN, KIM, YONG DON, WOO, SEON JOO, PAK, SEO IN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 19.10.2018
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A Schottky diode comprises a conductive layer of a first conductivity type, a first well region of a second conductivity type which is formed on the conductive layer, a first element isolation region which is separated from the first well region and is formed on the conductive layer, a first junction region of the second conductivity type which is adjacent to the first element isolation region in the same direction as the first well region, is separated from the first well region, and is formed on the conductive layer, a second junction region of the first conductivity type which is formed on the conductive layer to be adjacent to the first element isolation region in a direction opposite to the first well region, and a Schottky electrode which is formed to cover a Schottky junction surface corresponding to the upper surface of the conductive layer between the first well region and the first junction region. The Schottky diode reduces a current path in a vertical direction and a horizontal direction to reduce resistance, and thus it is possible to increase a forward electric current per unit area and increase performance of the Schottky diode. 쇼트키 다이오드는 제1 도전형의 도전층, 상기 도전층에 형성되는 제2 도전형의 제1 웰 영역, 상기 제1 웰 영역과 이격되어 상기 도전층에 형성되는 제1 소자 분리 영역, 상기 제1 웰 영역과 같은 방향에서 상기 제1 소자 분리 영역에 인접하고 상기 제1 웰 영역과 이격되어 상기 도전층에 형성되는 상기 제2 도전형의 제1 접합 영역, 상기 제1 웰 영역과 반대 방향에서 상기 제1 소자 분리 영역에 인접하여 상기 도전층에 형성되는 상기 제1 도전형의 제2 접합 영역 및 상기 제1 웰 영역과 상기 제1 접합 영역 사이의 상기 도전층의 상부 표면에 상응하는 쇼트키 접합 표면을 덮도록 형성되는 쇼트키 전극을 포함한다. 쇼트키 다이오드는 수직 방향 및 수평 방향의 전류 경로를 단축하여 저항을 감소함으로써 단위 면적당 순방향 전류를 증가하여 쇼트키 다이오드의 성능을 향상시킬 수 있다.