반도체 기판 또는 장치의 세정액 및 세정 방법

• Main Authors: SHIH JEN CHIEH, HARAGUCHI TAKAYUKI, NAMIKI TAKUMI
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 17.10.2018
• Subjects: ANIMAL AND VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES AND WAXES; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CANDLES; CHEMISTRY; DETERGENT COMPOSITIONS; DETERGENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; FATTY ACIDS THEREFROM; METALLURGY; RECOVERY OF GLYCEROL; RESIN SOAPS; SEMICONDUCTOR DEVICES; SOAP OR SOAP-MAKING; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS

특히 규소 원자 함유 무기물로 이루어지는 잔사물 또는 막을 제거하는 세정 성능이 우수하고, 인화점이 높은, 반도체 기판 또는 장치용의 정제액 및 세정 방법을 제공하는 것. 수용성 유기 용매, 제 4 급 암모늄 수산화물, 및 물을 함유하는, 반도체 기판 또는 장치용 세정액으로서, 그 수용성 유기 용매는, 인화점이 60 ℃ 이상인, 글리콜에테르계 용매 또는 비프로톤성 극성 용매인, 세정액. 반도체 기판에 형성되거나 혹은 장치에 부착되는 잔사물 또는 막으로서, 레지스트, 및 규소 원자 함유 무기물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 개로 이루어지는 잔사물 또는 막을, 그 세정액을 사용하여 그 반도체 기판 또는 그 장치로부터 세정하는 것을 포함하는, 세정 방법. A cleaning solution and a cleaning method for a semiconductor substrate or device, which has particularly excellent cleaning performance for removing a residue or film including an inorganic substance that contains silicon atoms, and that has a high flash point. The cleaning solution contains a water miscible organic solvent, a quaternary ammonium hydroxide, and water. The water miscible organic solvent is a glycol ether based solvent or an aprotic polar solvent having a flash point of 60° C. or greater. The cleaning method includes using the cleaning solution to clean from the semiconductor substrate or the device a residue or film formed on the semiconductor substrate or adhered to the device, the residue or film including at least one of a resist and an inorganic substance that contains silicon atoms.