스캐테로메트리 계측에서의 공정 변동의 근본 원인 분석
대칭 및 비대칭 인자들에 대한 공정 변동을 평가 및 특성화하고, 공정 단계에 대한 공정 변동의 근본 원인 분석을 제공하기 위해 측정 랜드스케이프에서 공진 영역(들)의 거동을 사용하는 방법, 계측 모듈, 및 RCA 툴이 제공된다. 상이한 층 두께 및 공정 변동 인자들을 갖는 모델링된 스택들의 시뮬레이션이 분석을 강화시키고 개선된 타겟 설계, 개선된 알고리즘, 및 계측 측정에 대한 정정가능자(correctable)를 제공하는데 사용될 수 있다. 민감한 공진 영역을 나타내는 특정 타겟은 공정 변동의 평가를 강화시키는데 이용될 수 있다....
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Format | Patent |
Language | Korean |
Published |
11.10.2018
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Summary: | 대칭 및 비대칭 인자들에 대한 공정 변동을 평가 및 특성화하고, 공정 단계에 대한 공정 변동의 근본 원인 분석을 제공하기 위해 측정 랜드스케이프에서 공진 영역(들)의 거동을 사용하는 방법, 계측 모듈, 및 RCA 툴이 제공된다. 상이한 층 두께 및 공정 변동 인자들을 갖는 모델링된 스택들의 시뮬레이션이 분석을 강화시키고 개선된 타겟 설계, 개선된 알고리즘, 및 계측 측정에 대한 정정가능자(correctable)를 제공하는데 사용될 수 있다. 민감한 공진 영역을 나타내는 특정 타겟은 공정 변동의 평가를 강화시키는데 이용될 수 있다.
Method, metrology modules and RCA tool are provided, which use the behavior of resonance region(s) in measurement landscapes to evaluate and characterize process variation with respect to symmetric and asymmetric factors, and provide root cause analysis of the process variation with respect to process steps. Simulations of modeled stacks with different layer thicknesses and process variation factors may be used to enhance the analysis and provide improved target designs, improved algorithms and correctables for metrology measurements. Specific targets that exhibit sensitive resonance regions may be utilize to enhance the evaluation of process variation. |
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Bibliography: | Application Number: KR20187027579 |