SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

• Main Authors: YAMAGUCHI NATSUO, EGUCHI SATOSHI, ABIKO YUYA
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 11.10.2018
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

In a vertical power MOSFET employing a super junction structure, the internal pressure of a power MOSFET can be secured due to the non-uniformity of impurity concentration in a p-type column region depending on the high aspect ratio of an n-type column region and a p-type column region. A p-type semiconductor region (PR1) is formed on the side surface of an n-type column region (NC1) adjacent to the p-type column region (PC1). Here, the p-type semiconductor region PR1 is formed in about half of a height from the upper end to the lower end of the side surface of the n-type column region (NC1). So, the entire side surface of a p-type column region including a p-ype semiconductor region (PR1) and a p-type column region (PC1) is tilted. [과제] 수퍼정션 구조를 채용한 종형 파워 MOSFET에 있어서, n형 칼럼 영역 및 p형 칼럼 영역의 고(高) 어스펙트비화에 따라 p형 칼럼 영역의 불순물 농도의 불균일에 기인하여, 파워 MOSFET의 내압을 확보할 수 없게 되는 것을 방지한다. [해결수단] p형 칼럼 영역(PC1)과 인접하는 n형 칼럼 영역(NC1)의 측면에, p형 반도체 영역(PR1)을 형성한다. 여기에서는, n형 칼럼 영역(NC1)의 측면의 상단으로부터 하단까지의 높이 중, 해당 상단으로부터 절반 정도의 깊이에 걸쳐 p형 반도체 영역(PR1)을 형성함으로써, p형 반도체 영역(PR1)과 p형 칼럼 영역(PC1)을 포함하는 p형 칼럼 영역 전체의 측면을 기울인다.