일괄 처리 시스템에서의 다중막 퇴적 및 에칭을 위한 방법 및 장치

• Main Authors: O'MEARA DAVID L, DIP ANTHONY
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 21.09.2018
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

본 발명의 실시형태들은 일괄 처리 시스템에서의 다중막 퇴적 및 에칭을 위한 방법 및 장치를 기술한다. 일 실시형태에 따르면, 본 방법은, 공정 챔버 내의 복수의 기판 지지부 상에 기판을 배열하는 단계로서, 상기 공정 챔버는 상기 공정 챔버 내의 회전축 주위에 규정되는 처리 공간들을 포함하는 것인 상기 기판 배열 단계와, 상기 회전축을 중심으로 상기 복수의 기판 지지부를 회전시키는 단계와, 원자층 퇴적에 의해 각각의 상기 기판 상의 패터닝된 막 상에 제1 막을 퇴적하는 단계와, 각각의 상기 기판에서 상기 제1 막의 일부를 에칭하는 단계로서, 상기 제1 막의 수직 부분은 실질적으로 남겨 두면서 상기 제1 막의 적어도 하나의 수평 부분을 제거하는 단계를 포함하는, 상기 제1 막의 일부를 에칭하는 단계를 포함한다. 본 방법은 제1 막과는 상이한 재료를 함유하는 제2 막에 대해 퇴적 및 에칭 단계를 반복하는 단계를 더 포함한다. Embodiments of the invention describe a method and apparatus for multi-film deposition and etching in a batch processing system. According to one embodiment, the method includes arranging the substrates on a plurality of substrate supports in a process chamber, where the process chamber contains processing spaces defined around an axis of rotation in the process chamber, rotating the plurality of substrate supports about the axis of rotation, depositing a first film on a patterned film on each of the substrates by atomic layer deposition, and etching a portion of the first film on each of the substrates, where etching a portion of the first film includes removing at least one horizontal portion of the first film while substantially leaving vertical portions of the first film. The method further includes repeating the depositing and etching steps for a second film that contains a different material than the first film.