중공 캐소드 이온 소스 및 이온의 추출 및 가속 방법

• Main Authors: MASCHWITZ PETER, CHAMBERS JOHN
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 19.09.2018
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OFNEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMICBEAMS; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

이온 소스 및 이온을 추출 및 가속하기 위한 방법이 제공된다. 이온 소스는 챔버를 포함한다. 이온 소스는 제1 중공 캐소드 캐비티 및 제1 플라즈마 출구 오리피스를 갖는 제1 중공 캐소드와 제2 중공 캐소드 캐비티 및 제2 플라즈마 출구 오리피스를 갖는 제2 중공 캐소드를 더 포함한다. 제1 및 제2 중공 캐소드는 챔버 내에서 인접하게 배치된다. 이온 소스는 제1 플라즈마 출구 오리피스와 챔버 사이에서, 그리고 제1 플라즈마 출구 오리피스 및 챔버와 소통하는 제1 이온 가속기를 더 포함한다. 제1 이온 가속기는 제1 이온 가속 캐비티를 형성한다. 이온 소스는 제2 플라즈마 출구 오리피스와 챔버 사이에서, 그리고 제2 플라즈마 출구 오리피스 및 챔버와 소통하는 제2 이온 가속기를 더 포함한다. 제2 이온 가속기는 제2 이온 가속 캐비티를 형성한다. 제1 중공 캐소드와 제2 중공 캐소드는 플라즈마를 생성하기 위해 전극과 카운터-전극으로서 교대로 기능하도록 구성된다. An ion source and a method of extracting and accelerating ions are provided. The ion source includes a chamber. The ion source further includes a first hollow cathode having a first hollow cathode cavity and a first plasma exit orifice and a second hollow cathode having a second hollow cathode cavity and a second plasma exit orifice. The first and second hollow cathodes are disposed adjacently in the chamber. The ion source further includes a first ion accelerator between and in communication with the first plasma exit orifice and the chamber. The first ion accelerator forms a first ion acceleration cavity. The ion source further includes a second ion accelerator between and in communication with the second plasma orifice and the chamber. The second ion accelerator forms a second ion acceleration cavity. The first hollow cathode and the second hollow cathode are configured to alternatively function as electrode and counterelectrode to generate a plasma.