SOLID STATE DRIVE WITH HETEROGENEOUS NONVOLATILE MEMORY TYPES

• Main Authors: ROGERS HARRY R, HUO JIANJIAN, MARRIPUDI GUNNESWARA R, JOSHI INDIRA, SINHA VIKAS K
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 17.09.2018
• Subjects: CALCULATING; COMPUTING; COUNTING; ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING; PHYSICS

According to the present invention, a storage device comprises: a first controller; a first memory bank including a plurality of low-speed nonvolatile memory cells; a second memory bank including a plurality of high-speed persistent memory cells; and a storage interface. The first controller is formed to respond to input/output requests received through the storage interface. Each of the plurality of low-speed nonvolatile memory cells is at least ten times bigger than a part of the high-speed persistent memory cells in read latency, and is at least ten times bigger than a part of the high-speed persistent memory cells in write latency. The storage device includes as many low-speed nonvolatile memory cells as at least ten times the number of the high-speed persistent memory cells. 본 발명에 따른 저장 장치는 제1 컨트롤러, 복수의 저속 불휘발성 메모리 셀들을 포함하는 제1 메모리 뱅크, 복수의 고속 영구 메모리 셀들을 포함하는 제2 메모리 뱅크, 및 스토리지 인터페이스를 포함하고, 제1 컨트롤러는 스토리지 인터페이스를 통해 수신된 입력 출력 요청들에 응답하도록 구성되고, 복수의 저속 불휘발성 메모리 셀들 각각은 고속 영구 메모리 셀들 중 일부보다 읽기 레이턴시에서 적어도 10배만큼 크고, 고속 영구 메모리 셀들 중 일부보다 쓰기 레이턴시에서 적어도 10배 크고, 스토리지 장치는 고속 영구 메모리 셀들보다 적어도 10배만큼 많은 저속 불휘발성 메모리 셀들을 포함한다.