METROLOGY METHOD AND APPARATUS SUBSTRATE LITHOGRAPHIC SYSTEM AND DEVICE MANUFACTURING METHOD

• Main Authors: SMILDE HENDRIK JAN HIDDE, FAGGINGER AUER BASTIAAN ONNE, WARNAAR PATRICK, HARUTYUNYAN DAVIT
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 14.09.2018
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CINEMATOGRAPHY; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES

작은 타겟을 이용하는 다크-필드 메트롤로지 방법에서, 단일 회절 차수를 이용하여 얻어지는 타겟의 이미지의 특성은, 측정된 이미지에 조합 피트 함수를 피팅함으로써 결정된다. 조합 피트 함수는 타겟 및 물리적 센서의 측면들을 나타내도록 선택된 항들을 포함한다. 조합 피트 함수의 몇몇 계수들은 타겟 및/또는 측정 공정의 파라미터들에 기초하여 결정된다. 일 실시예에서, 조합 피트 함수는 이미징 시스템에서 퓨필 스톱의 점상 강도 분포 함수를 나타내는 jinc 함수들을 포함한다. In a dark-field metrology method using a small target, a characteristic of an image of the target, obtained using a single diffraction order, is determined by fitting a combination fit function to the measured image. The combination fit function includes terms selected to represent aspects of the physical sensor and the target. Some coefficients of the combination fit function are determined based on parameters of the measurement process and/or target. In an embodiment the combination fit function includes jinc functions representing the point spread function of a pupil stop in the imaging system.