접합 방법

본 발명은 압전성 단결정 기판과, 세라믹스로 이루어진 지지 기판을 직접 접합하는 데에 있어서, 상온에서의 접합을 가능하게 하고, 또한 접합 강도를 향상시키는 것을 과제로 한다. 세라믹스로 이루어진 지지 기판 상에, 멀라이트, 알루미나, 오산화탄탈, 산화티타늄 및 오산화니오븀으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 재질로 이루어진 접합층을 형성한다. 접합층의 표면에 중성화 빔을 조사함으로써 접합층(3A)의 표면(4)을 활성화한다. 접합층의 표면(4)과 압전성 단결정 기판(6)을 직접 접합한다. It is formed, over a s...

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Main Authors NAMERIKAWA MASAHIKO, HORI YUJI, GOTO MASASHI, ASAI KEIICHIRO, TAI TOMOYOSHI, YOSHINO TAKASHI
Format Patent
LanguageKorean
Published 12.09.2018
Subjects
BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
ELECTRICITY
IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS
RESONATORS
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Summary:본 발명은 압전성 단결정 기판과, 세라믹스로 이루어진 지지 기판을 직접 접합하는 데에 있어서, 상온에서의 접합을 가능하게 하고, 또한 접합 강도를 향상시키는 것을 과제로 한다. 세라믹스로 이루어진 지지 기판 상에, 멀라이트, 알루미나, 오산화탄탈, 산화티타늄 및 오산화니오븀으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 재질로 이루어진 접합층을 형성한다. 접합층의 표면에 중성화 빔을 조사함으로써 접합층(3A)의 표면(4)을 활성화한다. 접합층의 표면(4)과 압전성 단결정 기판(6)을 직접 접합한다. It is formed, over a supporting body made of a ceramic, a bonding layer composed of one or more material selected from the group consisting of mullite, alumina, tantalum pentoxide, titanium oxide and niobium pentoxide. Neutralized beam is irradiated onto a surface of the bonding layer to activate the surface of the bonding layer. The surface of the bonding layer and the piezoelectric single crystal substrate are bonded by direct bonding.
Bibliography:Application Number: KR20187022829