SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

• Main Authors: ENDO YUTA, SASAKI TOSHINARI, NODA KOSEI
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 06.09.2018
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention manufactures a semiconductor device which has small variation of an electric property, has high reliability and has high on-current in a transistor using an oxide semiconductor. An insulating layer having a large amount of oxygen emission is used as an insulating layer in contact with a channel region of the oxide semiconductor layer and an insulating layer having a small amount of oxygen emission is used as an insulating layer in contact with a source region and a drain region of the oxide semiconductor layer. The oxygen is emitted from the insulting layer having a large amount of oxygen emission, thereby manufacturing the semiconductor device having the small variation of the electric property and high reliability since oxygen deficiency in the channel region and an interface state density between the insulating layer and the channel region can be reduced. The source region and the drain region are formed by being in contact with the insulating layer having the small amount of oxygen emission, thereby suppressing high resistance of the source region and the drain region. The semiconductor device comprises: a first insulating layer; a second insulating layer; the oxide semiconductor layer; a third insulating layer; and a conductive layer. 본 발명은, 산화물 반도체를 사용한 트랜지스터에 있어서 전기적 특성의 변동이 작고, 신뢰성이 높고, 또 온 전류가 큰 반도체 장치를 제작하는 것을 과제로 한다. 산화물 반도체층의 채널 영역에 접하는 절연층으로서 산소 방출량이 많은 절연층을 사용하고, 산화물 반도체층의 소스 영역 및 드레인 영역에 접하는 절연층으로서 산소 방출량이 적은 절연층을 사용한다. 산소 방출량이 많은 절연층으로부터 산소가 방출됨으로써, 채널 영역 중의 산소 결손 및 상기 절연층과 채널 영역의 계면 준위 밀도를 저감할 수 있어 전기적 특성의 변동이 작고 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제작할 수 있다. 소스 영역 및 드레인 영역에 대해서는, 산소 방출량이 적은 절연층에 접하여 형성함으로써, 소스 영역 및 드레인 영역의 고저항화를 억제한다.