METHOD FOR FABRICATING ELECTRONIC DEVICE

• Main Authors: KIM, GUK CHEON, JUNG, KU YOUL, LEE, JAE HYOUNG, KIM, YANG KON, LIM, JONG KOO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 30.08.2018
• Subjects: ELECTRICITY

The present invention provides an electronic device and a manufacturing method of an electronic device including a semiconductor memory capable of improving characteristics of a variable resistance element. According to an embodiment of the present invention, the manufacturing method of an electronic device including the semiconductor memory comprises the following steps of: forming a buffer layer helping crystal growth of a lower layer on a substrate; forming the lower layer helping crystal growth of a free layer on the buffer layer; and forming a magnetic tunnel junction (MTJ) structure including the free layer having a changeable magnetization direction, a fixing layer having a fixed magnetization direction and a tunnel barrier layer interposed between the free layer and the fixing layer, on the lower layer. At least one of the buffer layer or the lower layer can have improved crystallinity due to an amorphous layer having surface defects formed when manufacturing the buffer layer or the lower layer. 전자 장치 및 그 제조 방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 메모리를 포함하는 전자 장치의 제조 방법은 기판 상에, 하부층의 결정 성장을 돕는 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 버퍼층 상에, 자유층의 결정 성장을 돕는 하부층을 형성하는 단계; 및 상기 하부층 상에, 변경 가능한 자화 방향을 갖는 자유층, 고정된 자화 방향을 갖는 고정층, 및 상기 자유층과 상기 고정층 사이에 개재되는 터널 베리어층을 포함하는 MTJ(Magnetic Tunnel Junction) 구조물을 형성하는 단계를 포함할 수 있으며, 상기 버퍼층 또는 상기 하부층의 일 이상은, 상기 버퍼층 또는 하부층 제조시 형성된 표면 결함을 갖는 비정질층에 기인하여 향상된 결정성을 가질 수 있다.