전하 수송 염, 전자 소자 및 그의 제조 방법
하기 화학식 (I)의 반복 단위를 포함하고 이의 양이온 또는 음이온 기의 전하와 균형을 이루는 카운터이온을 추가로 포함하는 물질 및 n-도판트(dopant)로부터 제조되는 전하 수송 염:(I) 상기 식에서, BG는 반복 단위의 골격(backbone) 기이고, R은 하나 이상의 양이온 또는 음이온 기를 포함하는 이온성 치환체이고, R은 비이온성 치환체이고, m은 0 또는 양의 정수이다. A compound of formula (I): (Core)n-(X)m wherein Core is a core group; n is 0 and m...
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Format | Patent |
Language | Korean |
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29.08.2018
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Summary: | 하기 화학식 (I)의 반복 단위를 포함하고 이의 양이온 또는 음이온 기의 전하와 균형을 이루는 카운터이온을 추가로 포함하는 물질 및 n-도판트(dopant)로부터 제조되는 전하 수송 염:(I) 상기 식에서, BG는 반복 단위의 골격(backbone) 기이고, R은 하나 이상의 양이온 또는 음이온 기를 포함하는 이온성 치환체이고, R은 비이온성 치환체이고, m은 0 또는 양의 정수이다.
A compound of formula (I): (Core)n-(X)m wherein Core is a core group; n is 0 and m is 1, or n is 1 and m is at least 1; and X is a group of formula (II): wherein: R1, R3 and R5 are each independently H or a substituent; R2 and R4 are each a substituent; one of R1-R5 is a direct bond or divalent linking group linking the group of formula (II) to Core in the case where n is 1; x and y are 0, 1, 2, 3 or 4; and the compound of formula (I) is substituted with at least one ionic substituent. The compound may be used as an n-dopant to dope an organic semiconductor. |
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Bibliography: | Application Number: KR20187020595 |