불소 처리에 의한 IGZO 부동화의 산소 빈자리

본 개시내용의 실시예들은 일반적으로, 금속 산화물 층을 갖는 TFT를 형성하기 위한 방법들에 관한 것이다. 방법은, 금속 산화물 층을 형성하는 단계, 및 불소 함유 가스 또는 플라즈마로 금속 산화물 층을 처리하는 단계를 포함할 수 있다. 금속 산화물 층의 불소 처리는 금속 산화물 채널 층 내의 산소 빈자리들을 채우는 것을 도우며, 이는, 더 안정된 TFT를 초래하고 TFT에서의 네거티브 임계 전압을 방지한다. Embodiments of the present disclosure generally relate to methods for...

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Main Authors WON TAE KYUNG, SUNG WON HO, LIM RODNEY SHUNLEONG, HSU HAO CHIEN, ZHANG XUENA, YIM DONG KIL
Format Patent
LanguageKorean
Published 24.08.2018
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:본 개시내용의 실시예들은 일반적으로, 금속 산화물 층을 갖는 TFT를 형성하기 위한 방법들에 관한 것이다. 방법은, 금속 산화물 층을 형성하는 단계, 및 불소 함유 가스 또는 플라즈마로 금속 산화물 층을 처리하는 단계를 포함할 수 있다. 금속 산화물 층의 불소 처리는 금속 산화물 채널 층 내의 산소 빈자리들을 채우는 것을 도우며, 이는, 더 안정된 TFT를 초래하고 TFT에서의 네거티브 임계 전압을 방지한다. Embodiments of the present disclosure generally relate to methods for forming a TFT having a metal oxide layer. The method may include forming a metal oxide layer and treating the metal oxide layer with a fluorine containing gas or plasma. The fluorine treatment of the metal oxide layer helps fill the oxygen vacancies in the metal oxide channel layer, leading to a more stable TFT and preventing a negative threshold voltage in the TFT.
Bibliography:Application Number: KR20187023363