METHODS FOR CONTROLLING CLAMPING OF INSULATOR-TYPE SUBSTRATE ON ELECTROSTATIC-TYPE SUBSTRATE SUPPORT STRUCTURE

• Main Authors: LIU CHIN YI, GOPALAKRISHNAN PADMA, LAI DANIEL, VEMURI RAJITHA
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 23.08.2018
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

An insulator-type substrate is positioned on a support surface of a substrate support structure in exposure to a plasma. An initial clamping voltage is applied to an electrode within the substrate support structure to rapidly accumulate electrical charge on the support surface to hold the substrate. A backside cooling gas is flowed to a region between the substrate and the support surface, and a leak rate of the backside cooling gas is monitored. A steady clamping voltage is applied to the electrode, and the steady clamping voltage is adjusted in a step-wise manner to maintain the monitored leak rate of the backside cooling gas at just less than the maximum allowable leak rate. Moreover, a pulsed clamping voltage is applied to the electrode, and the pulsed clamping voltage is adjusted to maintain the monitored leak rate of the backside cooling gas at just less than the maximum allowable leak rate. 절연체-타입 기판이 플라즈마에 노출하여 기판 지지 구조체의 지지 표면 상에 위치된다. 기판을 홀딩하기 위해 지지 표면 상에 전기 전하에 신속하게 축적되도록 최초 클램핑 전압이 기판 지지 구조체 내 전극에 인가된다. 후면 냉각 가스가 기판과 지지 표면 사이의 영역으로 흐르고, 후면 냉각 가스의 누설 레이트가 모니터링된다. 정상 클램핑 전압 (steady clamping voltage) 이 전극에 인가되고, 정상 클램핑 전압은 후면 냉각 가스의 모니터링된 누설 레이트를 단지 최대 허용가능 누설 레이트보다 작게 유지하도록 단계적인 방식으로 조정된다. 또는, 펄싱된 클램핑 전압이 전극에 인가되고, 펄싱된 클램핑 전압은 후면 냉각 가스의 모니터링된 누설 레이트를 단지 최대 허용가능 누설 레이트보다 작게 유지하도록 조정된다.